上篇文章中我们分享了微星主板BIOS设置－高级BIOS特性设置，接下来我们继续来看下微星主板BIOS设置－高级芯片组设置
DRAM Timing Setting... （设置内存... ） 按下回车<Enter> 键进入子菜单并出现以下的屏幕：
Configure SDRAM Timing by SPD （由SPD 设定内存时钟）
此项决定SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的SPD （Serial PresenceDetect）EEPROM内容决定。设置为[Enabled]将根据SPD的设置由BIOS自动决定配置；设为[Disabled]允许用户手动配置这些项目。
CAS# Latency （CAS 延迟） 此项控制了CAS延迟（在时钟周期内），决定了SDRAM接受并开始读取指令 后的延迟时间。设定值有：[2 Clocks], [2.5 Clocks]。[2 Clocks]是增加系统 性能，而[2.5 Clocks]是增加系统的稳定性。
RAS# Precharge （RAS 预充电）
此项用来控制RAS（Row Address Strobe）预充电过程的时钟周 期数。如果在DRAM刷新前没有足够时间给RAS积累电量，刷新过程可能无法完成而且DRAM将不能保持数据。此项仅在系统中安装了同步DRAM才有效。设定值
有：[2 Clocks], [3 Clocks], [4 Clocks]。
RAS# to CAS# Delay （RAS 至CAS 的延迟）
此项允许您设定在向DRAM 写入/ 读出/ 刷新时，从CAS （columnaddressstrobe）脉冲信号到RAS（row address strobe）脉冲信号之间延迟的时钟周期数。更快的速度可以增进系统的性能表现，而相对较慢的速度可以提供更稳定的系统表现。此项仅在系统中安装有同步DRAM才有效。
设定值有： [2Clocks], [3 Clocks], [4 Clocks]。
Precharge Delay （预充电延迟）
此项用来控制DRAM 从激活状态进行预充电的时钟周期数。设定值有：[5
Clocks], [6 Clocks], [7 Clocks], [8 Clocks]。
Burst Length （“爆发”长度）
此项允许您设置DRAM的“爆发长度大小。“爆发”是DRAM自身的一项预 测技术，它可以预测上一次内存地址访问后，下一次所要访问的内存地址。 为了使用这个功能，您必须设定“爆发长度”。它是实际的爆发长度加上开 始地址，并允许内部地址计数器正确地产生下一个要访问的内存地址。长度 越长，DRAM速度越快。设定值有：[4], [8]。
AGP Aperture Size (MB) （AGP 口径尺寸， MB ）
此项控制系统RAM中的多少空间可以分配给AGP作为视频显示用。口径是指作为图形记忆地址空间的一部分PCI存储地址范围。进入口径范围内的主时钟周期会不经过翻译直接传递给AGP。设定值有：[4MB], [8MB], [16MB], [32MB], [64MB], [128MB] 和[256 MB]。
(责任编辑：系统家)
